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隨著5G時(shí)代到來(lái)，電子產(chǎn)品對(duì)晶片頻率的傳輸速率要求越來(lái)越快，對(duì)晶片特性要求也越來(lái)越高。

1.運(yùn)用拋光技術(shù)替代現(xiàn)有光刻技術(shù)，同時(shí)使用粒徑小的研磨材料，使表面粗糙度＜1nm。

2.改變晶片結(jié)構(gòu)：采用“半圓形晶片”替代現(xiàn)有技術(shù)“方形片”加工。

3.UV粘接技術(shù)：將多個(gè)晶片集中粘合，統(tǒng)一為同規(guī)格晶坨，對(duì)晶坨表面及邊緣進(jìn)行拋光處理，減小物理應(yīng)力，加工出的晶片薄且無(wú)毛刺。